战略侧重/关键打通第四代碳化硅应用哪家强( 二 )

　　此外，还进行了开关损耗测试，第四代和第三代相比，损耗降低了很多，使得整体效率提高。
　　罗姆在主机利润期的应用方案，主要是推广以碳化硅产品为首做模块，或者是给模块厂商去封装模块推广，并结合一些产品，如电阻。因为罗姆是电阻起家的，所以有电阻、三极管、DC-DC、LDO等产品，在整个方案体系中都可以与客户进行整体化的推广。如逆变器会和碳化硅产品一起去的向客户做推广，在周边器件这边可以和客户一起探讨如何制造更可靠、高压、低损耗的产品，给客户比较丰富的产品线。
　　罗姆目前推广了电路、PNP管、三级管等产品。首先带给客户一些复合型的功能会，进行比较强大的应用。此外，罗姆的封装也会比较全，像89封装，小封装大电流的产品也会有，一些电阻肖特基二极管的方案，只要客户表达想要的需求，罗姆可以给客户一个完整、便捷的方案。
　　看关键：SIC功率器件应用中的Crosstalk
　　碳化硅在实际应用中，主要有串扰问题，串扰问题会在半桥或者全桥中出现，以下管开关侧为案例，上管是以回流侧为案例做说明。
　　首先就是负压问题，其实也是一个行业问题，负压问题是比较窄。虽然窄也可以使用，但是若要追去精细，则需要设计者克服一些问题去用，现在的负压问题，都是在-4V或者-6V，而且包括尖峰电压的趋势。IGBT肯定都是正20V，所以基本上负压问题就不在IGBT的讨论范围之内。
　　对于负压问题需要探讨一些串扰问题，在开关侧on的情况下，它对侧上管就会有一个上冲击尖峰，这个时候求引起一个上下管导通。在off的时候也会有一个串扰，但是它是一个向下的串扰，向下的串扰就会超过一些负压问题，则必须要研究探讨。
【战略侧重/关键打通第四代碳化硅应用哪家强】　　具体的模符管为会有串扰，如以247封装为例，首先在247封装里面内部有一个元级的杂感，P角一是有杂感，这里简称为trace杂感和source杂感并联，再去抓波形时，掺入一个探头，它的杂感就会在下面产生一个电压问题。
　　首先在开关侧进行on，在on的情况下，这边的电流就通过下管的电流会增大，通过上管的电流之后，上管的处于off的状态，off走的是二级管理，二级管还会再走，电流的方向就是看一下红线的回流侧。回流侧这样走之后，它就是慢慢降低的情况下，这样的情况下阻碍降低，它的电流也要跟电流是一样的，所以它就形成感应电动势。感应电动势的正极是上，就是source极上面是正极，下面是负极，同样，下面P角上也会有杂感，它也是上面是正，下面是负。
　　它在on的时候，电压开始提高了，由电压的DVDT引起了上管的串扰问题，所以上管是DVDT引起的，首先是电流变化，接下来就是电压变化，在上管形成电压变化，它会急速上升电压，就会有一个电流流过去，通过米勒平台CRIC进行充电，然后形成蓝色的回路进行充电。也就是DVDT越小，它的电流也就越小，电流越小电压也会浮动越小。所以对于这些也可以侵略一些措施，加一些米勒MOS管去前置它。
　　接下来就是off的状态，off也会出现这样一个问题，刚才on的时候是冲完电了，off的时候一开始就是进行放电，进行放电之后也会有一个回路进行放电，它的充电回路是相反的，所以这里是正压，这里是负压，这里就会出现负压，这个负压问题也是罗姆需要克服的，不能超过负值。
　　电压变化好之后就因为了电流，电流增大之后，有一个自感，因为它是在off的阶段，它下管电流是慢慢减小的，因为它进行了回流，回流之后对于二级管来说，它的电流是慢慢增大的，增大之后要阻碍电流增大，它就要形成自感，自感下边是正压，上面是负压。

战略侧重/关键打通 第四代碳化硅应用哪家强( 二 )

战略侧重/关键打通第四代碳化硅应用哪家强( 二 )