中国芯的心酸往事( 二 )

1968年，美国无线电公司成功研发了第一个互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路。CMOS器件的发明有效地实践了摩尔定律。1971年，英特尔推出1KB动态随机存储器DRAM，和全球第一个微处理器4004，标志着大规模集成电路的出现。
在半导体产业刚刚起步的此时，中国与世界顶尖技术差距并不大。
【中国芯的心酸往事】1954年，当美国研制出硅合金晶体管，中国北京电子管厂也于四年后（1958年）研制出硅合金晶体管。1959年美国发明平面光刻技术，研制成功平面型扩散晶体管，中国科学院半导体所也在1963年研制成平面管，同时有多家单位也在研制平面管。
1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元（中科院院士、中芯国际创始人）等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1KbDRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103DRAM内存芯片要晚五年，但是比韩国、台湾地区要早四五年。
在半导体晶体管和集成电路起步阶段，中国距美国只有五年左右的差距，起步并不算太慢。当时国内半导体产业主要为计算机和军工配套服务，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件，因此施行的是举国体制。
1956年，我国提出“向科学进军”的口号，根据国外发展电子元件的情况，提出中国也要研究半导体科学，并将其列为国家四大紧急措施之一。举国体制下，中国的半导体产业能够紧追美国，得益于一批回到新中国的半导体人才。
那段时间，中国科学院应用物理研究所请留学归来的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体相关理论，在北京大学开办了半导体物理专业培养出中国第一批半导体专业人才，包括后来的中芯国际董事长王阳元、华晶集团总工程师许居衍、电子工业部总工程师俞忠钰等。
举国模式或许可以保证科技上不会被甩下，但如果行业无法通过商业化、产业化来盈利，则很难保证长久健康的发展。
1977年7月，中国科学院院士、微电子学专家王守武，在人民大会堂举行的30位科技界代表座谈会上，发言称：“全国共有600多家半导体生产工厂，其一年生产的集成电路总量，只等于日本一家大型工厂月产量的十分之一。”一句话生动地概括了我国半导体行业当时的状况。

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1975年王守武（中）和参观半导体所的美籍华人科学家
1978年，伴随改革开放，中国集成电路产业进入探索发展时期。中国积极引进国外先进的科学技术，建设了多个重点项目。同年，国家投资13亿元，支持24家企业从国外引进33条先进的生产线。
1982年10月，国务院成立了“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定中国芯片发展规划。1985年，原航天691厂技术科长侯为贵被派往深圳，创立了中兴通讯的前身中兴半导体。
至此，中国芯片半导体行业开始走入发展快车道，彼时，迅速达到世界水平是行业人士的普通追求，但恰恰是在这段时间，中国与国际先进水平的差距被拉大，这其中既有内因，也与全球芯片产业开始裂变分工形成各类壁垒密不可分。
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早期的计算机生产商需要研制包括指令集在内的集成电路、可兼容操作系统、数据库等软硬件，这需要花费巨额的资金成本和时间成本。
因此，不同企业选择了不同的市场切入方式。甲骨文、微软等70年代成立的企业最初则是通过软件这一项来打入计算机市场；英特尔、AMD则是通过硬件。